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纳米能源所仪器开放共享 | 平台资源(二)
来源:公共技术服务中心发布时间:2023-10-24

仪器开放共享 | 平台资源 

中国科学院北京纳米能源与系统研究所公共技术服务中心成立于2013年,仪器设备主要在中国科学院大型仪器修缮购置项目支持下购置。中心整合研究所的仪器设备资源集中管理使用,开放共享,为研究所的科研工作提供了有力的技术支撑。中心利用设备与技术优势同时也为科研院所、大学、社会企业等单位提供微纳加工、分析测试、技术咨询以及设备应用培训等方面的技术服务。为进一步开放仪器资源,更好的发挥平台对外服务功能,将在研究所公众号上推出“仪器开放共享 | 平台资源”专题,分批介绍中心相关的仪器资源。

公共技术服务中心微纳制造与加工技术平台拥有各类设备30余台套,可以实现各类微纳结构与器件的制造与加工。其中大型薄膜与纳米材料制备类设备有8台,可以实现金属薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜以及纳米阵列材料的制备与合成。微纳制造与加工平台积极拓展与国内外科研机构的合作交流,包括接纳外来用户经过培训后独立使用设备等灵活多样的合作方式。

微纳加工与制造平台联系方式:

袁宏韬 yuanhongtao@binn.cas.cn, 

王玉光 wangyuguang@binn.cas.cn, 

崔晓晨 cuixiaochen@binn.cas.cn, 

张锦锡 zhangjinxi@binn.cas.cn,  

联系电话:010-60688332/8320/8322/8405

本期将推出的第二批仪器资源:薄膜与纳米材料制备类设备。 

(一)超高真空电子束蒸发镀膜仪 

品牌/型号: Denton Vacuum/Explore 14

原产地:美国

主要用途:

用于金属以及非金属或半导体薄膜的沉积制备。

关键参数:

1.基片尺寸:≤Ф6英寸      

2.极限真空度:8×10-8Torr  

3.镀膜均匀性:优于±3%(6英寸工件片)

  


(二)多靶磁控溅射镀膜系统 

品牌/型号: Denton Vacuum/Discovery 635

原产地:美国

主要用途:

用于高质量金属薄膜以及氧化物等非金属介电薄膜的制备

关键参数:

1.基片尺寸:≤Ф6英寸

2.极限真空度:8×10-8Torr

3.镀膜均匀性:优于±5% (6英寸工件片)



(三)KJL多靶磁控溅射镀膜系统 

品牌/型号: Kurt J. Lesker/PVD75 Proline

原产地:美国

主要用途:

用于高质量金属薄膜以及氧化物等非金属介电薄膜的制备。

关键参数:

1.基片尺寸:≤Ф12英寸

2.极限真空度:2×10-7Torr

3.镀膜均匀性:优于±5% (6英寸工件片)


(四)KJL电子束蒸发镀膜仪 

品牌/型号: Kurt J. Lesker/PVD75 Proline

原产地:美国

主要用途:

用于金属以及非金属或半导体薄膜的沉积制备。

关键参数:

1.基片尺寸:≤Ф6英寸      

2.极限真空度:2×10-7Torr  

3.镀膜均匀性:优于±5%(6英寸工件片)   


(五)原子层沉积系统 

品牌/型号:PICOSUN/SUNALE R-200

原产地:芬兰

主要用途:

用于晶体管栅极介电层、金属栅电极、半导体薄膜等纳米结构薄膜材料的制备。

关键参数:

1.前驱体源: 具有六根独立源管线,最大加载十二个前驱体源

2.基片尺寸:≤ 8英寸基片  



(六)等离子体增强化学气相沉积系统 

品牌/型号:SENTECH/SI 500D

原产国:德国

主要用途:

可沉积氧化硅、氮化硅、碳化硅、非晶硅等材料,可精确控制沉积厚度。

关键参数:

ICP等离子源(13.56 MHz, 1200 W)

8路气体:N2O, SiH4, NH3, CH4, CF4,O2, Ar, N2

基底温度可到350




(七)热化学气相沉积系统 

品牌/型号:EasyTube 3000 System

原产国:美国

主要用途:

用于锗硅纳米线、碳纳米管、石墨烯、氧化锌纳米线的生长及多晶硅和二氧化硅薄膜的可控生长。

关键参数:

最高温度1200

恒温区温度均匀性优于±0.5


(八)金属有机化学气相沉积系统 

品牌/型号:Aixtron/CCS 3×2 MOCVD

原产国:英国

主要用途:

MOCVD系统主要用于在蓝宝石、单晶硅等衬底上生长高质量GaNAlNAlGaN等外延材料、多量子阱结构和纳米材料。

关键参数:

3×2英寸反应系统

三温区加热器,最高加热温度1300

MO源:Cp2Mg, TMIn, TMAl, TEGa, TMGa




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