原产国：美国

主要用途：用于二维材料MoS2等、石墨烯、氧化锌纳米线的可控生长。

关键参数：最高温度1200℃ 恒温区温度均匀性优于±0.5℃

原产国：中国

主要用途：二维材料的转移，器件制备。

关键参数：

1. 定位精度：优于1um；

2. 温控精度：优于1℃；

3. 样品尺寸：4英寸

原产国：荷兰

主要用途：二维材料器件的图形化加工，可实现多层器件高精度套刻。

关键参数：

1. 曝光分辨率优于20nm；

2. 套刻精度：±20nm(100kV)，±30nm(50kV)；

3. 最大样品尺寸：6inch

原产国：捷克

主要用途：可实现二维材料在位高精度结构调制裁剪，性能调制；二维材料器件TEM原子成像分析样品的制备。

关键参数：

1. 放大倍率：40倍到60万倍

2. 二次电子分辨率：≤0.9nm@15kV；≤1.4nm@1kV

3. 离子成像分辨率：4nm@30kV

原产地：法国

主要用途:可实现二维材料的Raman微区分析表征。

关键参数：

1.拉曼频移范围：50cm^-1-8000cm^-1

2.PL范围：330-700nm（325nm激发）

3.光谱分辨率：≤0.65 cm^-1（可见全谱段）

原产地：白俄罗斯
主要用途：可实现二维材料在低温环境下共聚焦成像、光电物性分析等

主要参数：

1.温度范围：4K-500K

2.光谱仪焦距：520mm

3.共焦针孔尺寸范围：0~1.5mm；共焦针孔步距:0.5μm

4.空间分辨率： <2μm（100X物镜）

原产国：立陶宛

主要用途：飞秒时间分辨光谱测试仪可以用于表征ps和fs时间尺度上的二维材料 各种载流子动力学行为和材料的弛豫过程。

主要参数：

1.  1.泵浦探测模块

探测光范围：350~1800nm

延时线范围：7.8ns

2.上转换荧光模块

波长范围：400~1600nm

延时线范围：7.8ns

3.TCSPC模块

波长范围：300~820nm

时间分辨率：< 200ps

原产国：国内组装

主要用途：在超低温和强磁场环境下测量二维材料的电学、磁学性质。

关键参数：

1.温度控制范围：0.3~325 K；温控精确度：±1%；

2.磁场强度：纵向±9T；场均匀性±0.01%；

3.样品尺寸：直径4.9cm。