品牌/型号：SENTECH/SI 500

原产国：德国

主要用途：

主要用于硅刻蚀，氮化物刻蚀，氧化锌刻蚀，III-V族化合物半导体刻蚀

关键参数：

1. ICP等离子体源（13.56MHz，1200W）

2. RF偏置（13.56MHz，600W）

3. 8路气体：Cl2,BCl3,CF4,CHF3,SF6,O2,Ar,N2)

4. 基底温度范围-30到250

主要技术指标 

SiO₂刻蚀速率：240nm/min 

Si₃N₄刻蚀速率：260nm/min 

Si刻蚀速率：2400nm/min 

GaN刻蚀速率：700nm/min 

InP刻蚀速率：700nm/min 

6英寸范围刻蚀厚度均匀性：≤ 3% 

主要附件 

控制机柜 

干泵 

陶瓷衬套 

样品要求 

固态 

放置地点 

一层超净实验室 

负责人：袁老师

联系电话：010-82854603

E-mail：yuanhongtao@binn.cas.cn