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电感耦合等离子体刻蚀系统

  

品牌/型号:SENTECH/SI 500

原产国:德国

主要用途:

主要用于硅刻蚀,氮化物刻蚀,氧化锌刻蚀,III-V族化合物半导体刻蚀

关键参数:

1. ICP等离子体源(13.56MHz,1200W)

2. RF偏置(13.56MHz,600W)

3. 8路气体:Cl2,BCl3,CF4,CHF3,SF6,O2,Ar,N2)

4. 基底温度范围-30到250

主要技术指标

SiO2刻蚀速率:240nm/min

Si3N4刻蚀速率:260nm/min

Si刻蚀速率:2400nm/min

GaN刻蚀速率:700nm/min

InP刻蚀速率:700nm/min

6英寸范围刻蚀厚度均匀性:3%

主要附件

控制机柜

干泵

陶瓷衬套

样品要求

固态

放置地点

一层超净实验室

负责人:袁老师

联系电话:010-60688332

E-mail:yuanhongtao@binn.cas.cn

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