主要技术指标 

配置三路气体：Ar,、O₂、CF₄ 

刻蚀选择比：>3:1 

刻蚀不均匀度：≤5%（4英寸) 

本体真空：2 10^-4Pa 

射频电源功率：600W 

可加工最大晶元尺寸：6吋 

主要附件 

无 

主要功能 

该设备采用计算机程序控制，工艺过程可以通过程序设定，自动完成复杂工艺，可以刻蚀SiO₂、SiNx、有机物等材料。 

样品要求 

小于6英寸 

放置地点 

一层超净实验室 

负责人：袁老师

联系电话：010-60688332

E-mail：yuanhongtao@binn.cas.cn