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反应离子刻蚀设备

主要技术指标

配置三路气体:Ar,O2CF4

刻蚀选择比:>3:1

刻蚀不均匀度:5%4英寸)

本体真空:2 10-4Pa

射频电源功率:600W

可加工最大晶元尺寸:6

主要附件

主要功能

该设备采用计算机程序控制,工艺过程可以通过程序设定,自动完成复杂工艺,可以刻蚀SiO2SiNx、有机物等材料。

样品要求

小于6英寸

放置地点

一层超净实验室

负责人:袁老师

联系电话:010-60688332

E-mailyuanhongtao@binn.cas.cn

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